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富士igbt功率模塊的用途特征
日期：2025-12-08 03:54
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摘要：
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。富士igbt功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。
igbt功率模塊是以IGBT為內核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優化的門極驅動電路，以及快速保護電路構成。
絕緣柵雙極晶體管其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。
IGBT結合了場效晶體管柵極易驅動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用于中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。大型的IGBT模組應用于數百安培與六千伏特的電力系統領域，其模組內部包含數個單一IGBT元件與保護電路。
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